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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciMMDF1N05ER2
MMDF1N05ER2 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

MMDF1N05ER2 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
MMDF1N05ER2
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-MMDF1N05ER2
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
MMDF1N05E.pdf
In magazzino: 4460

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche MMDF1N05ER2
Specifiche tecniche onsemi - MMDF1N05ER2, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - MMDF1N05ER2

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 300mOhm @ 1.5A, 10V  
Potenza - Max 2W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Cut Tape (CT)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 25V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12.5nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 50V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base MMDF1  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi MMDF1N05ER2

Proprietà del prodotto MMDF1N05ER2 MMDF1N05ER2G MMD80R900PRH MMD90A180B
Modello di prodotti MMDF1N05ER2 MMDF1N05ER2G MMD80R900PRH MMD90A180B
fabbricante onsemi onsemi MAGNACHIP MACMIC
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - -
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA - -
Numero di prodotto di base MMDF1 MMDF1 - -
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12.5nC @ 10V 12.5nC @ 10V - -
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC - -
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
Pacchetto Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) - -
Rds On (max) a Id, Vgs 300mOhm @ 1.5A, 10V 300mOhm @ 1.5A, 10V - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Serie - - - -
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) - -
Tensione drain-source (Vdss) 50V 50V - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A 2A - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 25V 330pF @ 25V - -
Potenza - Max 2W 2W - -

MMDF1N05ER2 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MMDF1N05ER2 PDF e la documentazione onsemi per MMDF1N05ER2 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 21/Jan/2010.pdf
Schede tecniche
MMDF1N05E.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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