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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-JFETMMBFJ175LT1G
MMBFJ175LT1G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

MMBFJ175LT1G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
MMBFJ175LT1G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-MMBFJ175LT1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
JFET P-CH 30V SOT23-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
MMBFJ175LT1.pdf
MMBFJ175LT1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 325420

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche MMBFJ175LT1G
Specifiche tecniche onsemi - MMBFJ175LT1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - MMBFJ175LT1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - Cutoff (VGS off) @ Id 3 V @ 10 nA  
Tensione - Breakdown (V (BR) GSS) 30 V  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236)  
Serie -  
Resistenza - RDS (on) 125 Ohms  
Potenza - Max 225 mW  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11pF @ 10V (VGS)  
Tipo FET P-Channel  
Corrente - Drain (Idss) Vds (Vgs = 0) 7 mA @ 15 V  
Numero di prodotto di base MMBFJ175  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi MMBFJ175LT1G

Proprietà del prodotto MMBFJ175LT1G MMBFJ176 MMBFJ177 MMBFJ112
Modello di prodotti MMBFJ175LT1G MMBFJ176 MMBFJ177 MMBFJ112
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Tensione - Breakdown (V (BR) GSS) 30 V 30 V 30 V 35 V
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11pF @ 10V (VGS) - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Resistenza - RDS (on) 125 Ohms 250 Ohms 300 Ohms 50 Ohms
Tensione - Cutoff (VGS off) @ Id 3 V @ 10 nA 1 V @ 10 nA 800 mV @ 10 nA 1 V @ 1 µA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - Drain (Idss) Vds (Vgs = 0) 7 mA @ 15 V 2 mA @ 15 V 1.5 mA @ 15 V 5 mA @ 15 V
Numero di prodotto di base MMBFJ175 MMBFJ1 MMBFJ1 MMBFJ1
Potenza - Max 225 mW 225 mW 225 mW 350 mW
Serie - - - -
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel

MMBFJ175LT1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MMBFJ175LT1G PDF e la documentazione onsemi per MMBFJ175LT1G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf Material Declaration MMBFJ175LT1G.pdf
Schede tecniche
MMBFJ175LT1.pdf
Foglio dati HTML
MMBFJ175LT1.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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