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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singoloMJF6668G
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

MJF6668G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
MJF6668G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-MJF6668G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS PNP DARL 100V 10A TO220FP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
MJF6388, MJF6668.pdf
In magazzino: 4200

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche MJF6668G
Specifiche tecniche onsemi - MJF6668G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - MJF6668G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 100 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 3V @ 100mA, 10A  
Tipo transistor PNP - Darlington  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220FP  
Serie -  
Potenza - Max 2 W  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Frequenza - transizione -  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 3000 @ 3A, 4V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 10µA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 10 A  
Numero di prodotto di base MJF66  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi MJF6668G

Proprietà del prodotto MJF6668G MJF18004G MJF44H11 MJF6388G
Modello di prodotti MJF6668G MJF18004G MJF44H11 MJF6388G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Corrente - Cutoff collettore (max) 10µA 100µA 1µA 10µA
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220FP TO-220FP TO-220FP TO-220FP
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Numero di prodotto di base MJF66 MJF18004 MJF44 MJF6388
Tipo transistor PNP - Darlington NPN NPN NPN - Darlington
Serie - SWITCHMODE™ - -
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 3V @ 100mA, 10A 750mV @ 500mA, 2.5A 1V @ 400mA, 8A 3V @ 100mA, 10A
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Corrente - collettore (Ic) (max) 10 A 5 A 10 A 10 A
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 3000 @ 3A, 4V 14 @ 300mA, 5V 40 @ 4A, 1V 3000 @ 3A, 4V
Frequenza - transizione - 13MHz 50MHz -
Potenza - Max 2 W 35 W 2 W 2 W
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 100 V 450 V 80 V 100 V

MJF6668G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MJF6668G PDF e la documentazione onsemi per MJF6668G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 14/Apr/2010.pdf
Schede tecniche
MJF6388, MJF6668.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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