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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singoloMJE350G
MJE350G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

MJE350G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
MJE350G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-MJE350G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS PNP 300V 0.5A TO126
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-225AA, TO-126-3
Scheda dati
MJE350G.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 129180

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche MJE350G
Specifiche tecniche onsemi - MJE350G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - MJE350G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 300 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic -  
Tipo transistor PNP  
Contenitore dispositivo fornitore TO-126  
Serie -  
Potenza - Max 20 W  
Contenitore / involucro TO-225AA, TO-126-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Frequenza - transizione -  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 50mA, 10V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 100µA (ICBO)  
Corrente - collettore (Ic) (max) 500 mA  
Numero di prodotto di base MJE350  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi MJE350G

Proprietà del prodotto MJE350G MJE340 MJE340STU MJE4343
Modello di prodotti MJE350G MJE340 MJE340STU MJE4343
fabbricante onsemi STMicroelectronics onsemi onsemi
Corrente - Cutoff collettore (max) 100µA (ICBO) 100µA (ICBO) 100µA (ICBO) 750µA
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 50mA, 10V 30 @ 50mA, 10V 30 @ 50mA, 10V 15 @ 8A, 2V
Contenitore dispositivo fornitore TO-126 SOT-32-3 TO-126-3 SOT-93
Frequenza - transizione - - - 1MHz
Corrente - collettore (Ic) (max) 500 mA 500 mA 500 mA 16 A
Numero di prodotto di base MJE350 MJE340 - MJE43
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 300 V 300 V 300 V 160 V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic - - - 3.5V @ 2A, 16A
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto Bulk Tube Bulk Tube
Serie - - - -
Tipo transistor PNP NPN NPN NPN
Contenitore / involucro TO-225AA, TO-126-3 TO-225AA, TO-126-3 TO-225AA, TO-126-3 TO-218-3
Potenza - Max 20 W 20.8 W 20 W 125 W

MJE350G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MJE350G PDF e la documentazione onsemi per MJE350G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly Change 28/Dec/2020.pdf
Schede tecniche
MJE350G.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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