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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singoloMJE18004D2G
MJE18004D2G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

MJE18004D2G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
MJE18004D2G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-MJE18004D2G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN 450V 5A TO220
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
MJE18004D2.pdf
In magazzino: 3740

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche MJE18004D2G
Specifiche tecniche onsemi - MJE18004D2G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - MJE18004D2G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 450 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 750mV @ 400mA, 2A  
Tipo transistor NPN  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220  
Serie -  
Potenza - Max 75 W  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Frequenza - transizione 13MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 6 @ 2A, 1V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 100µA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 5 A  
Numero di prodotto di base MJE18004  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi MJE18004D2G

Proprietà del prodotto MJE18004D2G MJE172 MJE172 MJE18008
Modello di prodotti MJE18004D2G MJE172 MJE172 MJE18008
fabbricante onsemi onsemi NTE Electronics, Inc onsemi
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 450 V 80 V 80 V 450 V
Frequenza - transizione 13MHz 50MHz 50MHz 13MHz
Serie - - - SWITCHMODE™
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 750mV @ 400mA, 2A 1.7V @ 600mA, 3A 1.7V @ 600mA, 3A 700mV @ 900mA, 4.5V
Potenza - Max 75 W 1.5 W 1.5 W 125 W
Corrente - Cutoff collettore (max) 100µA 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100µA
Tipo transistor NPN PNP PNP NPN
Numero di prodotto di base MJE18004 MJE172 - MJE18
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-225AA, TO-126-3 TO-225AA, TO-126-3 TO-220-3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 6 @ 2A, 1V 50 @ 100mA, 1V 50 @ 100mA, 1V 14 @ 1A, 5V
Pacchetto Tube Bulk Bag Tube
Corrente - collettore (Ic) (max) 5 A 3 A 3 A 8 A
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 TO-126 TO-126 TO-220

MJE18004D2G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MJE18004D2G PDF e la documentazione onsemi per MJE18004D2G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 14/Apr/2010.pdf
Schede tecniche
MJE18004D2.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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