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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singoloMJE170G
MJE170G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

MJE170G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
MJE170G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-MJE170G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS PNP 40V 3A TO126
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-225AA, TO-126-3
Scheda dati
MJE170, 71, 72, 80, 81, 82.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 92210

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche MJE170G
Specifiche tecniche onsemi - MJE170G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - MJE170G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 40 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 1.7V @ 600mA, 3A  
Tipo transistor PNP  
Contenitore dispositivo fornitore TO-126  
Serie -  
Potenza - Max 1.5 W  
Contenitore / involucro TO-225AA, TO-126-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Frequenza - transizione 50MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 100mA, 1V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO)  
Corrente - collettore (Ic) (max) 3 A  
Numero di prodotto di base MJE170  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi MJE170G

Proprietà del prodotto MJE170G MJE170STU MJE172 MJE171STU
Modello di prodotti MJE170G MJE170STU MJE172 MJE171STU
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor STMicroelectronics Fairchild Semiconductor
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 1.7V @ 600mA, 3A 1.7V @ 600mA, 3A 1.7V @ 600mA, 3A 1.7V @ 600mA, 3A
Frequenza - transizione 50MHz 50MHz 50MHz 50MHz
Contenitore / involucro TO-225AA, TO-126-3 TO-225AA, TO-126-3 TO-225AA, TO-126-3 TO-225AA, TO-126-3
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 40 V 40 V 80 V 60 V
Potenza - Max 1.5 W 1.5 W 12.5 W 1.5 W
Numero di prodotto di base MJE170 MJE170 MJE172 -
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Corrente - collettore (Ic) (max) 3 A 3 A 3 A 3 A
Contenitore dispositivo fornitore TO-126 TO-126-3 SOT-32-3 TO-126-3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 100mA, 1V 50 @ 100mA, 1V 50 @ 100mA, 1V 50 @ 100mA, 1V
Pacchetto Bulk Bulk Tube Tube
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie - - - -
Tipo transistor PNP PNP PNP PNP

MJE170G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MJE170G PDF e la documentazione onsemi per MJE170G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly Change 28/Dec/2020.pdf
Schede tecniche
MJE170, 71, 72, 80, 81, 82.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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