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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singoloMJD6039T4
MJD6039T4 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

MJD6039T4 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
MJD6039T4
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-MJD6039T4
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
MJD6039.pdf
In magazzino: 5080

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche MJD6039T4
Specifiche tecniche onsemi - MJD6039T4, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - MJD6039T4

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 80 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 2.5V @ 8mA, 2A  
Tipo transistor NPN - Darlington  
Contenitore dispositivo fornitore DPAK  
Serie -  
Potenza - Max 1.75 W  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione -  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 500 @ 2A, 4V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 10µA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 4 A  
Numero di prodotto di base MJD60  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi MJD6039T4

Proprietà del prodotto MJD6039T4 MJD47T4 MJD50TF MJD47G
Modello di prodotti MJD6039T4 MJD47T4 MJD50TF MJD47G
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Serie - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tube
Potenza - Max 1.75 W 15 W 1.56 W 1.56 W
Numero di prodotto di base MJD60 MJD47 MJD50 MJD47
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore DPAK DPAK D-Pak DPAK
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 2.5V @ 8mA, 2A 1V @ 200mA, 1A 1V @ 200mA, 1A 1V @ 200mA, 1A
Frequenza - transizione - 10MHz 10MHz 10MHz
Corrente - Cutoff collettore (max) 10µA 200µA 200µA 200µA
Corrente - collettore (Ic) (max) 4 A 1 A 1 A 1 A
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 500 @ 2A, 4V 30 @ 300mA, 10V 30 @ 300mA, 10V 30 @ 300mA, 10V
Tipo transistor NPN - Darlington NPN NPN NPN
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 80 V 250 V 400 V 250 V

MJD6039T4 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MJD6039T4 PDF e la documentazione onsemi per MJD6039T4 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 06/Oct/2006.pdf
Schede tecniche
MJD6039.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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