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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singoloMJD44H11G
MJD44H11G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

MJD44H11G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
MJD44H11G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-MJD44H11G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN 80V 8A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
NJVMJD45H11RLG Datasheet.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 90630

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche MJD44H11G
Specifiche tecniche onsemi - MJD44H11G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - MJD44H11G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 80 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 1V @ 400mA, 8A  
Tipo transistor NPN  
Contenitore dispositivo fornitore DPAK  
Serie -  
Potenza - Max 1.75 W  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione 85MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 4A, 1V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 1µA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 8 A  
Numero di prodotto di base MJD44  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi MJD44H11G

Proprietà del prodotto MJD44H11G MJD44E3T4 MJD44H11-001 MJD44H11TF
Modello di prodotti MJD44H11G MJD44E3T4 MJD44H11-001 MJD44H11TF
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 1V @ 400mA, 8A 1.5V @ 10mA, 5A 1V @ 400mA, 8A 1V @ 400mA, 8A
Corrente - Cutoff collettore (max) 1µA 10µA 1µA 10µA
Corrente - collettore (Ic) (max) 8 A 10 A 8 A 8 A
Pacchetto Tube Bulk Tube Bulk
Contenitore dispositivo fornitore DPAK DPAK I-PAK D-Pak
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 80 V 80 V 80 V 80 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Frequenza - transizione 85MHz - 85MHz 50MHz
Potenza - Max 1.75 W 20 W 1.75 W 1.75 W
Tipo transistor NPN NPN - Darlington NPN NPN
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base MJD44 MJD44 MJD44 -
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 4A, 1V 1000 @ 5A, 5V 40 @ 4A, 1V 40 @ 4A, 1V
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Serie - - - -

MJD44H11G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MJD44H11G PDF e la documentazione onsemi per MJD44H11G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly /Test Change 11/Apr/2023.pdf
Schede tecniche
NJVMJD45H11RLG Datasheet.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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