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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singoloMJD31CITU
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

MJD31CITU - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
MJD31CITU
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-MJD31CITU
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN 100V 3A IPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
MJD31C.pdf
In magazzino: 3910

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche MJD31CITU
Specifiche tecniche onsemi - MJD31CITU, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - MJD31CITU

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 100 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 1.2V @ 375mA, 3A  
Tipo transistor NPN  
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK  
Serie -  
Potenza - Max 1.56 W  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Frequenza - transizione 3MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 3A, 4V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 50µA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 3 A  
Numero di prodotto di base MJD31  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi MJD31CITU

Proprietà del prodotto MJD31CITU MJD31CT4G MJD31CITU MJD31CRLG
Modello di prodotti MJD31CITU MJD31CT4G MJD31CITU MJD31CRLG
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 3A, 4V 10 @ 3A, 4V 10 @ 3A, 4V 10 @ 3A, 4V
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Numero di prodotto di base MJD31 MJD31 MJD31 MJD31
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Serie - - - -
Tipo transistor NPN NPN NPN NPN
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 1.2V @ 375mA, 3A 1.2V @ 375mA, 3A 1.2V @ 375mA, 3A 1.2V @ 375mA, 3A
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK DPAK I-PAK DPAK
Corrente - collettore (Ic) (max) 3 A 3 A 3 A 3 A
Potenza - Max 1.56 W 1.56 W 1.56 W 1.56 W
Corrente - Cutoff collettore (max) 50µA 50µA 50µA 50µA
Frequenza - transizione 3MHz 3MHz 3MHz 3MHz
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 100 V 100 V 100 V 100 V

MJD31CITU Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MJD31CITU PDF e la documentazione onsemi per MJD31CITU - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Device EOL 19/May/2017.pdf
Schede tecniche
MJD31C.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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