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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singoloMJD3055TF
MJD3055TF Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

MJD3055TF - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
MJD3055TF
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-MJD3055TF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN 60V 10A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
MJD3055.pdf
In magazzino: 4600

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche MJD3055TF
Specifiche tecniche onsemi - MJD3055TF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - MJD3055TF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 60 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 8V @ 3.3A, 10A  
Tipo transistor NPN  
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak  
Serie -  
Potenza - Max 1.75 W  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione 2MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 4A, 4V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 50µA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 10 A  
Numero di prodotto di base MJD30  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi MJD3055TF

Proprietà del prodotto MJD3055TF MJD31C MJD3055G MJD3055T4
Modello di prodotti MJD3055TF MJD31C MJD3055G MJD3055T4
fabbricante onsemi STMicroelectronics onsemi STMicroelectronics
Serie - - - -
Corrente - collettore (Ic) (max) 10 A 3 A 10 A 10 A
Potenza - Max 1.75 W 15 W 1.75 W 20 W
Numero di prodotto di base MJD30 MJD31 MJD30 MJD3055
Contenitore dispositivo fornitore D-Pak DPAK DPAK DPAK
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Corrente - Cutoff collettore (max) 50µA 50µA 50µA 50µA
Tipo transistor NPN NPN NPN NPN
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 8V @ 3.3A, 10A 1.2V @ 375mA, 3A 8V @ 3.3A, 10A 8V @ 3.3A, 10A
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Frequenza - transizione 2MHz - 2MHz 2MHz
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 4A, 4V 10 @ 3A, 4V 20 @ 4A, 4V 20 @ 4A, 4V
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 60 V 100 V 60 V 60 V

MJD3055TF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MJD3055TF PDF e la documentazione onsemi per MJD3055TF - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Devices 31/Jan/2019.pdf
Schede tecniche
MJD3055.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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