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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciMCH6660-TL-W
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

MCH6660-TL-W - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
MCH6660-TL-W
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-MCH6660-TL-W
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6MCPH
Pacchetto
6-SMD, Flat Leads
Scheda dati
MCH6660.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 5010

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche MCH6660-TL-W
Specifiche tecniche onsemi - MCH6660-TL-W, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - MCH6660-TL-W

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 1.3V @ 1mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-MCPH  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 136mOhm @ 1A, 4.5V  
Potenza - Max 800mW  
Contenitore / involucro 6-SMD, Flat Leads  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 128pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.8nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate, 1.8V Drive  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A, 1.5A  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base MCH6660  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi MCH6660-TL-W

Proprietà del prodotto MCH6660-TL-W MCH6663-TL-H MCH6664-TL-W MCH6663-TL-W
Modello di prodotti MCH6660-TL-W MCH6663-TL-H MCH6664-TL-W MCH6663-TL-W
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A, 1.5A 1.8A, 1.5A 1.5A 1.8A, 1.5A
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Configurazione N and P-Channel N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 136mOhm @ 1A, 4.5V 188mOhm @ 900mA, 10V 325mOhm @ 800mA, 10V 188mOhm @ 900mA, 10V
Contenitore / involucro 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.8nC @ 4.5V 2nC @ 10V 2.2nC @ 10V 2nC @ 10V
Contenitore dispositivo fornitore 6-MCPH 6-MCPH SC-88FL/MCPH6 SC-88FL/MCPH6
Numero di prodotto di base MCH6660 MCH6663 MCH6664 MCH6663
Tensione drain-source (Vdss) 20V 30V 30V 30V
Vgs (th) (max) a Id 1.3V @ 1mA - 2.6V @ 1mA 2.6V @ 1mA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 128pF @ 10V 88pF @ 10V 82pF @ 10V 88pF @ 10V
Potenza - Max 800mW 800mW 800mW 800mW
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Caratteristica FET Logic Level Gate, 1.8V Drive Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate, 4V Drive

MCH6660-TL-W Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MCH6660-TL-W PDF e la documentazione onsemi per MCH6660-TL-W - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 7/Apr/2021.pdf
Schede tecniche
MCH6660.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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