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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singoloMBR860MFST1G
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

MBR860MFST1G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
MBR860MFST1G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-MBR860MFST1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE SCHOTTKY 60V 8A 5DFN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-PowerTDFN, 5 Leads
Scheda dati
MBR860MFS, NRVB860MFS.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4620

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche MBR860MFST1G
Specifiche tecniche onsemi - MBR860MFST1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - MBR860MFST1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 800 mV @ 8 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 60 V  
Tecnologia Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL)  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN, 5 Leads  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C  
Tipo montaggio Surface Mount  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 150 µA @ 60 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 8A  
Capacità a Vr, F -  
Numero di prodotto di base MBR860  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi MBR860MFST1G

Proprietà del prodotto MBR860MFST1G MBRA120ET3G MBR845 MBR8045
Modello di prodotti MBR860MFST1G MBRA120ET3G MBR845 MBR8045
fabbricante onsemi onsemi onsemi GeneSiC Semiconductor
Numero di prodotto di base MBR860 MBRA120 - -
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Corrente - raddrizzata media (Io) 8A 1A 8A 80A
Capacità a Vr, F - - - -
Tensione - inversa (Vr) (max) 60 V 20 V 45 V 45 V
Temperatura di funzionamento - Giunzione -55°C ~ 175°C -55°C ~ 150°C -65°C ~ 125°C -55°C ~ 150°C
Contenitore / involucro 8-PowerTDFN, 5 Leads DO-214AC, SMA DO-201AA, DO-27, Axial DO-203AB, DO-5, Stud
Corrente - Dispersione inversa a Vr 150 µA @ 60 V 10 µA @ 20 V 1 mA @ 45 V 1 mA @ 45 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 800 mV @ 8 A 530 mV @ 1 A 550 mV @ 8 A 650 mV @ 80 A
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Chassis, Stud Mount
Tecnologia Schottky Schottky Schottky Schottky
Serie - - - -
Contenitore dispositivo fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL) SMA Axial DO-5

MBR860MFST1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica MBR860MFST1G PDF e la documentazione onsemi per MBR860MFST1G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 08/Jul/2021.pdf
PCN Design/Specifica
Mult Dev Material/Wafer Chg 7/Mar/2018.pdf
Schede tecniche
MBR860MFS, NRVB860MFS.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Wafer Fab/Material Chg 3/May/2018.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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