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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singoloKSB564AYBU
KSB564AYBU Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

KSB564AYBU - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
KSB564AYBU
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-KSB564AYBU
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS PNP 25V 1A TO92-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Scheda dati
KSB564A.pdf
In magazzino: 4390

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche KSB564AYBU
Specifiche tecniche onsemi - KSB564AYBU, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - KSB564AYBU

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 25 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 500mV @ 100mA, 1A  
Tipo transistor PNP  
Contenitore dispositivo fornitore TO-92-3  
Serie -  
Potenza - Max 800 mW  
Contenitore / involucro TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Frequenza - transizione 110MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 100mA, 1V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO)  
Corrente - collettore (Ic) (max) 1 A  
Numero di prodotto di base KSB56  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi KSB564AYBU

Proprietà del prodotto KSB564AYBU KSB744YSTU KSB772OS KSB564AYBU
Modello di prodotti KSB564AYBU KSB744YSTU KSB772OS KSB564AYBU
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Frequenza - transizione 110MHz 45MHz 80MHz 110MHz
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Pacchetto Bulk Tube Bulk Bulk
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO) 1µA (ICBO) 1µA (ICBO) 100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max) 1 A 3 A 3 A 1 A
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 500mV @ 100mA, 1A 2V @ 150mA, 1.5A 500mV @ 200mA, 2A 500mV @ 100mA, 1A
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 25 V 45 V 30 V 25 V
Serie - - - -
Contenitore / involucro TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-225AA, TO-126-3 TO-225AA, TO-126-3 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Potenza - Max 800 mW 1 W 1 W 800 mW
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 100mA, 1V 160 @ 500mA, 5V 100 @ 1A, 2V 120 @ 100mA, 1V
Contenitore dispositivo fornitore TO-92-3 TO-126-3 TO-126-3 TO-92-3
Tipo transistor PNP PNP PNP PNP
Numero di prodotto di base KSB56 - - -

KSB564AYBU Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica KSB564AYBU PDF e la documentazione onsemi per KSB564AYBU - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Copper Lead Frame 12/Oct/2007.pdf
Schede tecniche
KSB564A.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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