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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloISL9N303AS3ST
ISL9N303AS3ST Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

ISL9N303AS3ST - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
ISL9N303AS3ST
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-ISL9N303AS3ST
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
ISL9N303AP3/AS3ST/AS3.pdf
In magazzino: 4650

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Specifiche

Specifiche tecnologiche ISL9N303AS3ST
Specifiche tecniche onsemi - ISL9N303AS3ST, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - ISL9N303AS3ST

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263)  
Serie UltraFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.2mOhm @ 75A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 215W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7000 pF @ 15 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 172 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)  
Numero di prodotto di base ISL9  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi ISL9N303AS3ST

Proprietà del prodotto ISL9N303AS3ST ISL9N302AS3ST ISL9N304AP3 ISL9N306AS3ST
Modello di prodotti ISL9N303AS3ST ISL9N302AS3ST ISL9N304AP3 ISL9N306AS3ST
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Caratteristica FET - - - -
Serie UltraFET™ UltraFET™ UltraFET® UltraFET®
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc) 75A (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Numero di prodotto di base ISL9 - - -
Tensione drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 3.2mOhm @ 75A, 10V 2.3mOhm @ 75A, 10V 4.5mOhm @ 75A, 10V 6mOhm @ 75A, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Dissipazione di potenza (max) 215W (Tc) 345W (Tc) 145W (Ta) 125W (Ta)
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) TO-220AB TO-263AB
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 172 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V 105 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7000 pF @ 15 V 11000 pF @ 15 V 4075 pF @ 15 V 3400 pF @ 15 V

ISL9N303AS3ST Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica ISL9N303AS3ST PDF e la documentazione onsemi per ISL9N303AS3ST - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
ISL9N303AP3/AS3ST/AS3.pdf

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Europa Germania 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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