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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloIRLM210ATF
IRLM210ATF Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

IRLM210ATF - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
IRLM210ATF
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-IRLM210ATF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 200V 770MA SOT223-4
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-261-4, TO-261AA
Scheda dati
IRLM210A.pdf
In magazzino: 4490

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Specifiche

Specifiche tecnologiche IRLM210ATF
Specifiche tecniche onsemi - IRLM210ATF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - IRLM210ATF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223-4  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.5Ohm @ 390mA, 5V  
Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 240 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 770mA (Ta)  
Numero di prodotto di base IRLM21  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi IRLM210ATF

Proprietà del prodotto IRLM210ATF IRLM110ATF IRLM220ATF IRLM110ATF
Modello di prodotti IRLM210ATF IRLM110ATF IRLM220ATF IRLM110ATF
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Numero di prodotto di base IRLM21 - IRLM220 IRLM11
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 1.5Ohm @ 390mA, 5V 440mOhm @ 750mA, 5V 800mOhm @ 570mA, 5V 440mOhm @ 750mA, 5V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 770mA (Ta) 1.5A (Tc) 1.13A (Ta) 1.5A (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 5 V 8 nC @ 5 V 15 nC @ 5 V 8 nC @ 5 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Tc) 2.2W (Tc) 2W (Tc) 2.2W (Tc)
Serie - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V 5V 5V 5V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 100 V 200 V 100 V
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223-4 SOT-223-4 SOT-223-4 SOT-223-4
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 240 pF @ 25 V 235 pF @ 25 V 430 pF @ 25 V 235 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA - 2V @ 250µA

IRLM210ATF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica IRLM210ATF PDF e la documentazione onsemi per IRLM210ATF - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
IRLM210A.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
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1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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