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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloHUFA75321D3ST
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

HUFA75321D3ST - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
HUFA75321D3ST
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-HUFA75321D3ST
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
HUFA75321D3(S).pdf
In magazzino: 4870

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Specifiche

Specifiche tecnologiche HUFA75321D3ST
Specifiche tecniche onsemi - HUFA75321D3ST, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - HUFA75321D3ST

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-252AA  
Serie Automotive, AEC-Q101, UltraFET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 36mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 93W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 20 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 55 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)  
Numero di prodotto di base HUFA75  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi HUFA75321D3ST

Proprietà del prodotto HUFA75321D3ST HUFA75309T3ST HUFA75309D3S HUFA75321D3S
Modello di prodotti HUFA75321D3ST HUFA75309T3ST HUFA75309D3S HUFA75321D3S
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc) 3A (Ta) 19A (Tc) 20A (Tc)
Numero di prodotto di base HUFA75 HUFA75 HUFA75 HUFA75
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 36mOhm @ 20A, 10V 70mOhm @ 3A, 10V 70mOhm @ 19A, 10V 36mOhm @ 20A, 10V
Serie Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ UltraFET™ UltraFET™ Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 25 V 352 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 680 pF @ 25 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 20 V 23 nC @ 20 V 24 nC @ 20 V 44 nC @ 20 V
Tensione drain-source (Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-252AA SOT-223-4 TO-252AA TO-252AA
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 93W (Tc) 1.1W (Ta) 55W (Tc) 93W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-261-4, TO-261AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

HUFA75321D3ST Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica HUFA75321D3ST PDF e la documentazione onsemi per HUFA75321D3ST - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Dpak Dimension 17/Apr/2008.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
1Q2018 Product EOL 31/Mar/2018.pdf Multiple Devices 13/Aug/2010.pdf
Schede tecniche
HUFA75321D3(S).pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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