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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistori-IGBTs-singoloHGTP12N60A4D
HGTP12N60A4D Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

HGTP12N60A4D - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
HGTP12N60A4D
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-HGTP12N60A4D
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IGBT 600V 54A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
HGTG12N60A4D, HGTP12N60A4D, HGT1S12N60A4DS.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4010

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche HGTP12N60A4D
Specifiche tecniche onsemi - HGTP12N60A4D, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - HGTP12N60A4D

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 600 V  
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.7V @ 15V, 12A  
Condizione di test 390V, 12A, 10Ohm, 15V  
Td (on / off) @ 25 ° C 17ns/96ns  
di scambio energetico 55µJ (on), 50µJ (off)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie -  
Tempo di ripristino inverso (trr) 30 ns  
Potenza - Max 167 W  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Tipo di ingresso Standard  
Tipo IGBT -  
carica gate 78 nC  
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 96 A  
Corrente - collettore (Ic) (max) 54 A  
Numero di prodotto di base HGTP12N60  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi HGTP12N60A4D

Proprietà del prodotto HGTP12N60A4D HGTP12N60A4 HGTP14N36G3VL HGTP10N120BN
Modello di prodotti HGTP12N60A4D HGTP12N60A4 HGTP14N36G3VL HGTP10N120BN
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Tipo di ingresso Standard Standard Logic Standard
carica gate 78 nC 78 nC 24 nC 100 nC
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Td (on / off) @ 25 ° C 17ns/96ns 17ns/96ns - 23ns/165ns
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 96 A 96 A - 80 A
Pacchetto Tube Tube Bulk Tube
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220AB TO-220-3
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 600 V 600 V 390 V 1200 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
di scambio energetico 55µJ (on), 50µJ (off) 55µJ (on), 50µJ (off) - 320µJ (on), 800µJ (off)
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.7V @ 15V, 12A 2.7V @ 15V, 12A 2.2V @ 5V, 14A 2.7V @ 15V, 10A
Corrente - collettore (Ic) (max) 54 A 54 A 18 A 35 A
Tempo di ripristino inverso (trr) 30 ns - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base HGTP12N60 - - HGTP10
Potenza - Max 167 W 167 W 100 W 298 W
Tipo IGBT - - Trench NPT
Serie - - - -
Condizione di test 390V, 12A, 10Ohm, 15V 390V, 12A, 10Ohm, 15V - 960V, 10A, 10Ohm, 15V

HGTP12N60A4D Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica HGTP12N60A4D PDF e la documentazione onsemi per HGTP12N60A4D - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 29/Jan/2021.pdf
Schede tecniche
TO220B03 Pkg Drawing.pdf HGTG12N60A4D, HGTP12N60A4D, HGT1S12N60A4DS.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Mold Chg 28/Oct/2019.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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