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HGT1S10N120BNS - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
HGT1S10N120BNS
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-HGT1S10N120BNS
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
HGT(G,P)10N120BN, HGT1S10N120BNS.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4720

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Specifiche

Specifiche tecnologiche HGT1S10N120BNS
Specifiche tecniche onsemi - HGT1S10N120BNS, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - HGT1S10N120BNS

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 1200 V  
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.7V @ 15V, 10A  
Condizione di test 960V, 10A, 10Ohm, 15V  
Td (on / off) @ 25 ° C 23ns/165ns  
di scambio energetico 320µJ (on), 800µJ (off)  
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263)  
Serie -  
Potenza - Max 298 W  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Tipo di ingresso Standard  
Tipo IGBT NPT  
carica gate 100 nC  
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 80 A  
Corrente - collettore (Ic) (max) 35 A  
Numero di prodotto di base HGT1S10  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi HGT1S10N120BNS

Proprietà del prodotto HGT1S10N120BNS HGT1S12N60C3DS HGT1S14N36G3VLT HGT1S12N60A4DS
Modello di prodotti HGT1S10N120BNS HGT1S12N60C3DS HGT1S14N36G3VLT HGT1S12N60A4DS
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Potenza - Max 298 W 104 W 100 W 167 W
carica gate 100 nC 71 nC 24 nC 120 nC
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
di scambio energetico 320µJ (on), 800µJ (off) - - 55µJ (on), 50µJ (off)
Td (on / off) @ 25 ° C 23ns/165ns - -/7µs 17ns/96ns
Tipo IGBT NPT - - -
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 1200 V 600 V 390 V 600 V
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Corrente - collettore Pulsed (Icm) 80 A 96 A - 96 A
Tipo di ingresso Standard Standard Logic Standard
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263) TO-263AB I2PAK (TO-262) TO-263AB
Numero di prodotto di base HGT1S10 - - -
Pacchetto Tube Bulk Bulk Bulk
Condizione di test 960V, 10A, 10Ohm, 15V - 300V, 7A, 25Ohm, 5V 390V, 12A, 10Ohm, 15V
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.7V @ 15V, 10A 2.2V @ 15V, 15A 2.2V @ 5V, 14A 2.7V @ 15V, 12A
Serie - - - -
Corrente - collettore (Ic) (max) 35 A 24 A 18 A 54 A

HGT1S10N120BNS Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica HGT1S10N120BNS PDF e la documentazione onsemi per HGT1S10N120BNS - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf Description Chg 01/Apr/2016.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult Dev Box Chgs 1/Jul/2021.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Multiple Parts 23/Jun/2022.pdf
Schede tecniche
HGT(G,P)10N120BN, HGT1S10N120BNS.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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