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H11G1M Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

H11G1M - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
H11G1M
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-H11G1M
Modello ECAD
Descrizione delle parti
OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-DIP (0.300', 7.62mm)
Scheda dati
H11G1M.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 102960

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche H11G1M
Specifiche tecniche onsemi - H11G1M, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - H11G1M

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - uscita (max) 100V  
Tensione - Isolamento 4170Vrms  
Tensione - Forward (Vf) (Typ) 1.3V  
Vce saturazione (max) 1V  
Accensione / spegnimento (Typ) -  
Contenitore dispositivo fornitore 6-DIP  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) -  
Contenitore / involucro 6-DIP (0.300', 7.62mm)  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo di uscita Darlington with Base  
temperatura di esercizio -40°C ~ 100°C  
Numero di canali 1  
Tipo montaggio Through Hole  
Tipo di ingresso DC  
Rapporto trasferimento corrente (min) 1000% @ 10mA  
Rapporto trasferimento corrente (max) -  
Corrente - Uscita / Canale -  
Corrente - DC Forward (If) (Max) 60 mA  
Numero di prodotto di base H11G1  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi H11G1M

Proprietà del prodotto H11G1M H11G1300 H11G2M H11F3SR2VM
Modello di prodotti H11G1M H11G1300 H11G2M H11F3SR2VM
fabbricante onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Numero di prodotto di base H11G1 H11G H11G2 -
Pacchetto Tube Tube Tube Bulk
Tensione - Isolamento 4170Vrms 5300Vrms 4170Vrms 7500Vpk
Serie - - - -
Tensione - uscita (max) 100V 100V 80V 15V
temperatura di esercizio -40°C ~ 100°C -55°C ~ 100°C -40°C ~ 100°C -40°C ~ 100°C
Rapporto trasferimento corrente (min) 1000% @ 10mA 1000% @ 10mA 1000% @ 10mA -
Contenitore dispositivo fornitore 6-DIP 6-DIP 6-DIP 6-SMD
Tipo di uscita Darlington with Base Darlington with Base Darlington with Base MOSFET
Tempo di salita / scadenza (Typ) - - - -
Rapporto trasferimento corrente (max) - - - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Tipo di ingresso DC DC DC DC
Accensione / spegnimento (Typ) - 5µs, 100µs 5µs, 100µs 45µs, 45µs (Max)
Corrente - Uscita / Canale - - - -
Corrente - DC Forward (If) (Max) 60 mA 60 mA 60 mA 60 mA
Vce saturazione (max) 1V 1V 1V -
Contenitore / involucro 6-DIP (0.300', 7.62mm) 6-DIP (0.300", 7.62mm) 6-DIP (0.300', 7.62mm) 6-SMD, Gull Wing
Tensione - Forward (Vf) (Typ) 1.3V 1.3V 1.3V 1.3V
Numero di canali 1 1 1 1

H11G1M Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica H11G1M PDF e la documentazione onsemi per H11G1M - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf Material Declaration H11G1M.pdf
PCN Design/Specifica
Cylindrical Battery Holders.pdf
Packaging PCN
2.73KHz.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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