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CasaCentro di prodottiIsolatoriOptoisolatori-Transistor, uscita fotovoltaicaH11D3M
H11D3M Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

H11D3M - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
H11D3M
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-H11D3M
Modello ECAD
Descrizione delle parti
OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP
Pacchetto
6-DIP (0.300', 7.62mm)
Scheda dati
Cylindrical Battery Holders.pdf
Cylindrical Battery Holders.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 97340

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Specifiche

Specifiche tecnologiche H11D3M
Specifiche tecniche onsemi - H11D3M, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - H11D3M

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - uscita (max) 200V  
Tensione - Isolamento 4170Vrms  
Tensione - Forward (Vf) (Typ) 1.15V  
Vce saturazione (max) 400mV  
Accensione / spegnimento (Typ) 5µs, 5µs  
Contenitore dispositivo fornitore 6-DIP  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) -  
Contenitore / involucro 6-DIP (0.300', 7.62mm)  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo di uscita Transistor with Base  
temperatura di esercizio -40°C ~ 100°C  
Numero di canali 1  
Tipo montaggio Through Hole  
Tipo di ingresso DC  
Rapporto trasferimento corrente (min) 20% @ 10mA  
Rapporto trasferimento corrente (max) -  
Corrente - Uscita / Canale 100mA  
Corrente - DC Forward (If) (Max) 80 mA  
Numero di prodotto di base H11D3  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Not Applicable
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.49.8000

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi H11D3M

Proprietà del prodotto H11D3M H11D3SR2M H11D3-X007 H11D1VM
Modello di prodotti H11D3M H11D3SR2M H11D3-X007 H11D1VM
fabbricante onsemi onsemi Vishay Semiconductor Opto Division onsemi
Rapporto trasferimento corrente (max) - - - -
Numero di canali 1 1 1 1
Tensione - Forward (Vf) (Typ) 1.15V 1.15V 1.1V 1.15V
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Rapporto trasferimento corrente (min) 20% @ 10mA 20% @ 10mA 20% @ 10mA 20% @ 10mA
Accensione / spegnimento (Typ) 5µs, 5µs 5µs, 5µs 5µs, 6µs 5µs, 5µs
Contenitore / involucro 6-DIP (0.300', 7.62mm) 6-SMD, Gull Wing 6-SMD, Gull Wing 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Vce saturazione (max) 400mV 400mV 400mV 400mV
Corrente - DC Forward (If) (Max) 80 mA 80 mA 60 mA 80 mA
Corrente - Uscita / Canale 100mA 100mA 100mA 100mA
Numero di prodotto di base H11D3 H11D3 H11 H11D1
Tensione - Isolamento 4170Vrms 4170Vrms 5300Vrms 4170Vrms
Tensione - uscita (max) 200V 200V 200V 300V
Tipo di uscita Transistor with Base Transistor with Base Transistor with Base Transistor with Base
Contenitore dispositivo fornitore 6-DIP 6-SMD 6-SMD 6-DIP
Tempo di salita / scadenza (Typ) - - 2.5µs, 5.5µs -
Serie - - - -
temperatura di esercizio -40°C ~ 100°C -40°C ~ 100°C -55°C ~ 100°C -40°C ~ 100°C
Tipo di ingresso DC DC DC DC

H11D3M Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica H11D3M PDF e la documentazione onsemi per H11D3M - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf onsemi REACH.pdf Material Declaration H11D3M.pdf
Schede tecniche
Cylindrical Battery Holders.pdf
Foglio dati HTML
Cylindrical Battery Holders.pdf
PCN Design/Specifica
Cylindrical Battery Holders.pdf
Packaging PCN
2.73KHz.pdf

Metodo di spedizione

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
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