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CasaCentro di prodottiIsolatoriOptoisolatori-Transistor, uscita fotovoltaicaH11A817B
H11A817B Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

H11A817B - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
H11A817B
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-H11A817B
Modello ECAD
Descrizione delle parti
OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Scheda dati
H11AA814, H11A617, H11A817 Series.pdf
In magazzino: 5060

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Specifiche

Specifiche tecnologiche H11A817B
Specifiche tecniche onsemi - H11A817B, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - H11A817B

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - uscita (max) 70V  
Tensione - Isolamento 5300Vrms  
Tensione - Forward (Vf) (Typ) 1.2V  
Vce saturazione (max) 200mV  
Accensione / spegnimento (Typ) -  
Contenitore dispositivo fornitore 4-DIP  
Serie -  
Tempo di salita / scadenza (Typ) 2.4µs, 2.4µs  
Contenitore / involucro 4-DIP (0.300", 7.62mm)  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo di uscita Transistor  
temperatura di esercizio -55°C ~ 100°C  
Numero di canali 1  
Tipo montaggio Through Hole  
Tipo di ingresso DC  
Rapporto trasferimento corrente (min) 130% @ 5mA  
Rapporto trasferimento corrente (max) 260% @ 5mA  
Corrente - Uscita / Canale 50mA  
Corrente - DC Forward (If) (Max) 50 mA  
Numero di prodotto di base H11A  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi H11A817B

Proprietà del prodotto H11A817B H11A817B3S H11A817BS H11A817B3S
Modello di prodotti H11A817B H11A817B3S H11A817BS H11A817B3S
fabbricante onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Tensione - Isolamento 5300Vrms 5300Vrms 5300Vrms 5300Vrms
Contenitore / involucro 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-SMD, Gull Wing 4-SMD, Gull Wing 4-SMD, Gull Wing
Tensione - uscita (max) 70V 70V 70V 70V
Corrente - Uscita / Canale 50mA 50mA 50mA 50mA
Numero di canali 1 1 1 1
Vce saturazione (max) 200mV 200mV 200mV 200mV
Contenitore dispositivo fornitore 4-DIP 4-SMD 4-SMD 4-SMD
Tempo di salita / scadenza (Typ) 2.4µs, 2.4µs 2.4µs, 2.4µs 2.4µs, 2.4µs 2.4µs, 2.4µs
temperatura di esercizio -55°C ~ 100°C -55°C ~ 100°C -55°C ~ 100°C -55°C ~ 100°C
Serie - - - -
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione - Forward (Vf) (Typ) 1.2V 1.2V 1.2V 1.2V
Accensione / spegnimento (Typ) - - - -
Numero di prodotto di base H11A H11A H11A -
Rapporto trasferimento corrente (min) 130% @ 5mA 130% @ 5mA 130% @ 5mA 130% @ 5mA
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tipo di uscita Transistor Transistor Transistor Transistor
Rapporto trasferimento corrente (max) 260% @ 5mA 260% @ 5mA 260% @ 5mA 260% @ 5mA
Tipo di ingresso DC DC DC DC
Corrente - DC Forward (If) (Max) 50 mA 50 mA 50 mA 50 mA

H11A817B Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica H11A817B PDF e la documentazione onsemi per H11A817B - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
H11AA814, H11A617, H11A817 Series.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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