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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciFW276-TL-2H
FW276-TL-2H Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FW276-TL-2H - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FW276-TL-2H
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FW276-TL-2H
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 450V 0.7A 8SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
FW276-TL-2H.pdf
In magazzino: 3620

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FW276-TL-2H
Specifiche tecniche onsemi - FW276-TL-2H, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FW276-TL-2H

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 1mA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 12.1Ohm @ 350mA, 10V  
Potenza - Max 1.6W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 55pF @ 20V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.7nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 450V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 700mA  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base FW276  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FW276-TL-2H

Proprietà del prodotto FW276-TL-2H FW297-TL-2W FW256-TL-E FW257-TL-E
Modello di prodotti FW276-TL-2H FW297-TL-2W FW256-TL-E FW257-TL-E
fabbricante onsemi onsemi Sanyo Sanyo
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) - -
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - -
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 55pF @ 20V 750pF @ 20V - -
Serie - - * *
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 700mA 4.5A - -
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 1mA 2.6V @ 1mA - -
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate, 4V Drive - -
Tensione drain-source (Vdss) 450V 60V - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Rds On (max) a Id, Vgs 12.1Ohm @ 350mA, 10V 58mOhm @ 4.5A, 10V - -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.7nC @ 10V 14nC @ 10V - -
Numero di prodotto di base FW276 FW297 FW256 FW257
Potenza - Max 1.6W 1.8W - -

FW276-TL-2H Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FW276-TL-2H PDF e la documentazione onsemi per FW276-TL-2H - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 24/Jul/2015.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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