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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciFW217A-TL-2W
FW217A-TL-2W Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FW217A-TL-2W - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FW217A-TL-2W
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FW217A-TL-2W
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 35V 6A 8SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
FW217A.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4550

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FW217A-TL-2W
Specifiche tecniche onsemi - FW217A-TL-2W, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FW217A-TL-2W

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id -  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 39mOhm @ 6A, 10V  
Potenza - Max 2.2W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 20V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate, 4.5V Drive  
Tensione drain-source (Vdss) 35V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base FW217  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FW217A-TL-2W

Proprietà del prodotto FW217A-TL-2W FW216-NMM-TL-E FW217-NMM-TL-E FW217A-TL-2WX
Modello di prodotti FW217A-TL-2W FW216-NMM-TL-E FW217-NMM-TL-E FW217A-TL-2WX
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 20V - - -
Tensione drain-source (Vdss) 35V - - -
Configurazione 2 N-Channel (Dual) - - -
Potenza - Max 2.2W - - -
Numero di prodotto di base FW217 FW216 FW217 FW217
Caratteristica FET Logic Level Gate, 4.5V Drive - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A - - -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) - - -
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V - - -
Tipo montaggio Surface Mount - - -
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 39mOhm @ 6A, 10V - - -
Serie - * * -
Vgs (th) (max) a Id - - - -

FW217A-TL-2W Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FW217A-TL-2W PDF e la documentazione onsemi per FW217A-TL-2W - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 7/Apr/2021.pdf
Packaging PCN
Mult MSL1 Pkg Rev 20/Dec/2018.pdf
Schede tecniche
FW217A.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Wafer Fab Site Japan 9/Nov/2015.pdf

Metodo di spedizione

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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