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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQU1N60TU
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FQU1N60TU - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FQU1N60TU
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FQU1N60TU
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Scheda dati
FQD1N60, FQU1N60.pdf
In magazzino: 5400

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FQU1N60TU
Specifiche tecniche onsemi - FQU1N60TU, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FQU1N60TU

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 11.5Ohm @ 500mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 30W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 150 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1A (Tc)  
Numero di prodotto di base FQU1  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FQU1N60TU

Proprietà del prodotto FQU1N60TU FQU1N80TU FQU20N06LTU FQU20N06LTU
Modello di prodotti FQU1N60TU FQU1N80TU FQU20N06LTU FQU20N06LTU
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Numero di prodotto di base FQU1 FQU1N80 - FQU20N06
Rds On (max) a Id, Vgs 11.5Ohm @ 500mA, 10V 20Ohm @ 500mA, 10V 60mOhm @ 8.6A, 10V 60mOhm @ 8.6A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore I-PAK I-PAK I-PAK I-PAK
Caratteristica FET - - - -
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V 7.2 nC @ 10 V 13 nC @ 5 V 13 nC @ 5 V
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1A (Tc) 1A (Tc) 17.2A (Tc) 17.2A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 800 V 60 V 60 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 5V, 10V 5V, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 150 pF @ 25 V 195 pF @ 25 V 630 pF @ 25 V 630 pF @ 25 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Pacchetto Tube Tube Bulk Tube

FQU1N60TU Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FQU1N60TU PDF e la documentazione onsemi per FQU1N60TU - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
FQD1N60, FQU1N60.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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