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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQT2P25TF
FQT2P25TF Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FQT2P25TF - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FQT2P25TF
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FQT2P25TF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 250V 550MA SOT223-4
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-261-4, TO-261AA
Scheda dati
FQT2P25.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4550

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FQT2P25TF
Specifiche tecniche onsemi - FQT2P25TF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FQT2P25TF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223-4  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 4Ohm @ 275mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 250 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 550mA (Tc)  
Numero di prodotto di base FQT2P25  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FQT2P25TF

Proprietà del prodotto FQT2P25TF FQT4N20LTF FQT1N60CTF-WS FQT4N20LTF
Modello di prodotti FQT2P25TF FQT4N20LTF FQT1N60CTF-WS FQT4N20LTF
fabbricante onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±20V
Numero di prodotto di base FQT2P25 FQT4N20 FQT1N60 -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 5V, 10V 10V 5V, 10V
Contenitore dispositivo fornitore SOT-223-4 SOT-223-4 SOT-223-4 SOT-223-4
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 250 pF @ 25 V 310 pF @ 25 V 170 pF @ 25 V 310 pF @ 25 V
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 250 V 200 V 600 V 200 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 4Ohm @ 275mA, 10V 1.35Ohm @ 425mA, 10V 11.5Ohm @ 100mA, 10V 1.35Ohm @ 425mA, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 550mA (Tc) 850mA (Tc) 200mA (Tc) 850mA (Tc)
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Tc) 2.2W (Tc) 2.1W (Tc) 2.2W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 10 V 5.2 nC @ 5 V 6.2 nC @ 10 V 5.2 nC @ 5 V

FQT2P25TF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FQT2P25TF PDF e la documentazione onsemi per FQT2P25TF - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf
Schede tecniche
FQT2P25.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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