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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQPF18N20V2YDTU
FQPF18N20V2YDTU Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FQPF18N20V2YDTU - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FQPF18N20V2YDTU
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FQPF18N20V2YDTU
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 200V 18A TO220F-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Scheda dati
FQP18N20V2, FQPF18N20V2.pdf
In magazzino: 5040

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FQPF18N20V2YDTU
Specifiche tecniche onsemi - FQPF18N20V2YDTU, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FQPF18N20V2YDTU

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F-3 (Y-Forming)  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 140mOhm @ 9A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack, Formed Leads  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1080 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Tc)  
Numero di prodotto di base FQPF1  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FQPF18N20V2YDTU

Proprietà del prodotto FQPF18N20V2YDTU FQPF19N10L FQPF17P06 FQPF19N10L
Modello di prodotti FQPF18N20V2YDTU FQPF19N10L FQPF17P06 FQPF19N10L
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V 18 nC @ 5 V 27 nC @ 10 V 18 nC @ 5 V
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc) 38W (Tc) 39W (Tc) 38W (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1080 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V 900 pF @ 25 V 870 pF @ 25 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F-3 (Y-Forming) TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Rds On (max) a Id, Vgs 140mOhm @ 9A, 10V 100mOhm @ 6.8A, 10V 120mOhm @ 6A, 10V 100mOhm @ 6.8A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±25V ±20V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Tc) 13.6A (Tc) 12A (Tc) 13.6A (Tc)
Numero di prodotto di base FQPF1 FQPF1 - -
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 100 V 60 V 100 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 5V, 10V 10V 5V, 10V
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack, Formed Leads TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack

FQPF18N20V2YDTU Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FQPF18N20V2YDTU PDF e la documentazione onsemi per FQPF18N20V2YDTU - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
FQP18N20V2, FQPF18N20V2.pdf

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Europa Germania 5
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Giappone 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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