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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQPF17N40
FQPF17N40 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
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FQPF17N40 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FQPF17N40
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FQPF17N40
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 400V 9.5A TO220F
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
FQPF17N40.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 4120

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FQPF17N40
Specifiche tecniche onsemi - FQPF17N40, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FQPF17N40

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F-3  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 270mOhm @ 4.75A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 56W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2300 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 400 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9.5A (Tc)  
Numero di prodotto di base FQPF1  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FQPF17N40

Proprietà del prodotto FQPF17N40 FQPF16N15 FQPF17N40T FQPF15P12
Modello di prodotti FQPF17N40 FQPF16N15 FQPF17N40T FQPF15P12
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Rds On (max) a Id, Vgs 270mOhm @ 4.75A, 10V 160mOhm @ 5.8A, 10V 270mOhm @ 4.75A, 10V 200mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (Max) ±30V ±25V ±30V ±30V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base FQPF1 FQPF1 FQPF17 FQPF15
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2300 pF @ 25 V 910 pF @ 25 V 2300 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9.5A (Tc) 11.6A (Tc) 9.5A (Tc) 15A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 400 V 150 V 400 V 120 V
Dissipazione di potenza (max) 56W (Tc) 53W (Tc) 56W (Tc) 41W (Tc)
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack

FQPF17N40 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FQPF17N40 PDF e la documentazione onsemi per FQPF17N40 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
FQPF17N40.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
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