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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQP7N65C
FQP7N65C Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
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FQP7N65C - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FQP7N65C
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FQP7N65C
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 650V 7A TO220-3
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FQP7N65C, FQPF7N65C.pdf
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Specifiche

Specifiche tecnologiche FQP7N65C
Specifiche tecniche onsemi - FQP7N65C, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FQP7N65C

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.4Ohm @ 3.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 160W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1245 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 650 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Tc)  
Numero di prodotto di base FQP7  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FQP7N65C

Proprietà del prodotto FQP7N65C FQP7P06 FQP70N10 FQP7N20
Modello di prodotti FQP7N65C FQP7P06 FQP70N10 FQP7N20
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1245 pF @ 25 V 295 pF @ 25 V 3300 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Tc) 7A (Tc) 57A (Tc) 6.6A (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V 8.2 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V
Dissipazione di potenza (max) 160W (Tc) 45W (Tc) 160W (Tc) 63W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Numero di prodotto di base FQP7 - - FQP7
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±30V ±25V ±25V ±30V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Rds On (max) a Id, Vgs 1.4Ohm @ 3.5A, 10V 410mOhm @ 3.5A, 10V 23mOhm @ 28.5A, 10V 690mOhm @ 3.3A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tube Bulk Bulk Tube
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 650 V 60 V 100 V 200 V

FQP7N65C Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FQP7N65C PDF e la documentazione onsemi per FQP7N65C - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FQP7N65C, FQPF7N65C.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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