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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQP6N25
FQP6N25 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

FQP6N25 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FQP6N25
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FQP6N25
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 250V 5.5A TO220-3
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FQP6N25.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 4050

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FQP6N25
Specifiche tecniche onsemi - FQP6N25, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FQP6N25

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 1Ohm @ 2.75A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 63W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 250 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.5A (Tc)  
Numero di prodotto di base FQP6  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FQP6N25

Proprietà del prodotto FQP6N25 FQP630 FQP6N50C FQP65N06
Modello di prodotti FQP6N25 FQP630 FQP6N50C FQP65N06
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.5A (Tc) 9A (Tc) 5.5A (Tc) 65A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipazione di potenza (max) 63W (Tc) 78W (Tc) 98W (Tc) 150W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±25V ±30V ±25V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Numero di prodotto di base FQP6 - FQP6 -
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Pacchetto Tube Tube Tube Bulk
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 25 V 550 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V 2410 pF @ 25 V
Rds On (max) a Id, Vgs 1Ohm @ 2.75A, 10V 400mOhm @ 4.5A, 10V 1.2Ohm @ 2.8A, 10V 16mOhm @ 32.5A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.5 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 250 V 200 V 500 V 60 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

FQP6N25 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FQP6N25 PDF e la documentazione onsemi per FQP6N25 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FQP6N25.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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Contattaci se hai domande.

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