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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQP58N08
FQP58N08 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FQP58N08 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FQP58N08
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FQP58N08
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 80V 57.5A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FQP58N08.pdf
In magazzino: 5050

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FQP58N08
Specifiche tecniche onsemi - FQP58N08, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FQP58N08

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 24mOhm @ 28.75A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 146W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 80 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 57.5A (Tc)  
Numero di prodotto di base FQP5  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FQP58N08

Proprietà del prodotto FQP58N08 FQP50N06L FQP5N20 FQP55N06
Modello di prodotti FQP58N08 FQP50N06L FQP5N20 FQP55N06
fabbricante onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tensione drain-source (Vdss) 80 V 60 V 200 V 60 V
Numero di prodotto di base FQP5 FQP50 FQP5 -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 5V, 10V 10V 10V
Dissipazione di potenza (max) 146W (Tc) 121W (Tc) 52W (Tc) 133W (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 57.5A (Tc) 52.4A (Tc) 4.5A (Tc) 55A (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 24mOhm @ 28.75A, 10V 21mOhm @ 26.2A, 10V 1.2Ohm @ 2.25A, 10V 20mOhm @ 27.5A, 10V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V 32 nC @ 5 V 7.5 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±25V ±20V ±30V ±25V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V 1630 pF @ 25 V 270 pF @ 25 V 1690 pF @ 25 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®

FQP58N08 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FQP58N08 PDF e la documentazione onsemi per FQP58N08 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FQP58N08.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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