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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQP4N20
FQP4N20 Image
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FQP4N20 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FQP4N20
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FQP4N20
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 200V 3.6A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FQP4N20.pdf
In magazzino: 4420

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FQP4N20
Specifiche tecniche onsemi - FQP4N20, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FQP4N20

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.4Ohm @ 1.8A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 45W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 220 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.5 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.6A (Tc)  
Numero di prodotto di base FQP4  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FQP4N20

Proprietà del prodotto FQP4N20 FQP47P06 FQP45N15V2 FQP4N60
Modello di prodotti FQP4N20 FQP47P06 FQP45N15V2 FQP4N60
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.5 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Numero di prodotto di base FQP4 FQP47 - FQP4
Dissipazione di potenza (max) 45W (Tc) 160W (Tc) 220W (Tc) 106W (Tc)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.6A (Tc) 47A (Tc) 45A (Tc) 4.4A (Tc)
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 60 V 150 V 600 V
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Vgs (Max) ±30V ±25V ±30V ±30V
Rds On (max) a Id, Vgs 1.4Ohm @ 1.8A, 10V 26mOhm @ 23.5A, 10V 40mOhm @ 22.5A, 10V 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Pacchetto Tube Tube Bulk Tube
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 220 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V 3030 pF @ 25 V 670 pF @ 25 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

FQP4N20 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FQP4N20 PDF e la documentazione onsemi per FQP4N20 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FQP4N20.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
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