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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQP44N10
FQP44N10 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FQP44N10 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FQP44N10
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FQP44N10
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 43.5A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 48850

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FQP44N10
Specifiche tecniche onsemi - FQP44N10, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FQP44N10

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 39mOhm @ 21.75A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 146W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 43.5A (Tc)  
Numero di prodotto di base FQP44  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FQP44N10

Proprietà del prodotto FQP44N10 FQP3N90 FQP3P50 FQP44N10
Modello di prodotti FQP44N10 FQP3N90 FQP3P50 FQP44N10
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Pacchetto Tube Tube Bulk Bulk
Rds On (max) a Id, Vgs 39mOhm @ 21.75A, 10V 4.25Ohm @ 1.8A, 10V 4.9Ohm @ 1.35A, 10V 39mOhm @ 21.75A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 43.5A (Tc) 3.6A (Tc) 2.7A (Tc) 43.5A (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V 910 pF @ 25 V 660 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Numero di prodotto di base FQP44 - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Vgs (Max) ±25V ±30V ±30V ±25V
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V 62 nC @ 10 V
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 146W (Tc) 130W (Tc) 85W (Tc) 146W (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 900 V 500 V 100 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

FQP44N10 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FQP44N10 PDF e la documentazione onsemi per FQP44N10 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Schede tecniche
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
Assemblaggio/origine PCN
MFG Site Addition 09/Mar/2020.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf

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Europa Germania 5
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Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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