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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQP2N60C
FQP2N60C Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FQP2N60C - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FQP2N60C
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FQP2N60C
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 2A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4620

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FQP2N60C
Specifiche tecniche onsemi - FQP2N60C, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FQP2N60C

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.7Ohm @ 1A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 54W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 235 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Tc)  
Numero di prodotto di base FQP2  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FQP2N60C

Proprietà del prodotto FQP2N60C FQP2P40 FQP2N80 FQP27N25
Modello di prodotti FQP2N60C FQP2P40 FQP2N80 FQP27N25
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Tc) 2A (Tc) 2.4A (Tc) 25.5A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 400 V 800 V 250 V
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 4.7Ohm @ 1A, 10V 6.5Ohm @ 1A, 10V 6.3Ohm @ 1.2A, 10V 110mOhm @ 12.75A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 54W (Tc) 63W (Tc) 85W (Tc) 180W (Tc)
Serie QFET® QFET® QFET® -
Pacchetto Tube Tube Bulk Tube
Numero di prodotto di base FQP2 FQP2 - FQP27
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 235 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 550 pF @ 25 V 2450 pF @ 25 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

FQP2N60C Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FQP2N60C PDF e la documentazione onsemi per FQP2N60C - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf Passivation Material 14/May/2008.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Schede tecniche
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 23/Dec/2021.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Asembly Chg 7/May/2020.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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