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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQP12P10
FQP12P10 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FQP12P10 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FQP12P10
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FQP12P10
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 100V 11.5A TO220-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FQP12P10.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4880

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FQP12P10
Specifiche tecniche onsemi - FQP12P10, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FQP12P10

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 290mOhm @ 5.75A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 75W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11.5A (Tc)  
Numero di prodotto di base FQP12  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FQP12P10

Proprietà del prodotto FQP12P10 FQP11P06 FQP13N06L FQP13N10
Modello di prodotti FQP12P10 FQP11P06 FQP13N06L FQP13N10
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 5V, 10V 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 11.5A (Tc) 11.4A (Tc) 13.6A (Tc) 12.8A (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 6.4 nC @ 5 V 16 nC @ 10 V
Pacchetto Tube Tube Bulk Tube
Tipo FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 75W (Tc) 53W (Tc) 45W (Tc) 65W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±25V ±20V ±25V
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V 550 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 450 pF @ 25 V
Numero di prodotto di base FQP12 FQP11 - FQP13
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Rds On (max) a Id, Vgs 290mOhm @ 5.75A, 10V 175mOhm @ 5.7A, 10V 110mOhm @ 6.8A, 10V 180mOhm @ 6.4A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 60 V 60 V 100 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Caratteristica FET - - - -

FQP12P10 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FQP12P10 PDF e la documentazione onsemi per FQP12P10 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Schede tecniche
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FQP12P10.pdf
Assemblaggio/origine PCN
MFG Site Addition 09/Mar/2020.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 23/Dec/2021.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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