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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQI4N90TU
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FQI4N90TU - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FQI4N90TU
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FQI4N90TU
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Scheda dati
FQI4N90TU.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5060

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FQI4N90TU
Specifiche tecniche onsemi - FQI4N90TU, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FQI4N90TU

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore I2PAK (TO-262)  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.3Ohm @ 2.1A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.13W (Ta), 140W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 900 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.2A (Tc)  
Numero di prodotto di base FQI4N90  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FQI4N90TU

Proprietà del prodotto FQI4N90TU FQI4N20TU FQI47P06TU FQI5N60CTU
Modello di prodotti FQI4N90TU FQI4N20TU FQI47P06TU FQI5N60CTU
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V 6.5 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V
Dissipazione di potenza (max) 3.13W (Ta), 140W (Tc) 3.13W (Ta), 45W (Tc) 3.75W (Ta), 160W (Tc) 3.13W (Ta), 100W (Tc)
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Contenitore dispositivo fornitore I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262) I2PAK (TO-262)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.2A (Tc) 3.6A (Tc) 47A (Tc) 4.5A (Tc)
Numero di prodotto di base FQI4N90 FQI4 FQI4 FQI5N60
Rds On (max) a Id, Vgs 3.3Ohm @ 2.1A, 10V 1.4Ohm @ 1.8A, 10V 26mOhm @ 23.5A, 10V 2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1100 pF @ 25 V 220 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V 670 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±25V ±30V
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 900 V 200 V 60 V 600 V

FQI4N90TU Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FQI4N90TU PDF e la documentazione onsemi per FQI4N90TU - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult Dev Box Chgs 1/Jul/2021.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Material Chgs 14/Oct/2020.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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