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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQD7P20TF
FQD7P20TF Image
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FQD7P20TF - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FQD7P20TF
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FQD7P20TF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
FQD7P20TF.pdf
In magazzino: 4490

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FQD7P20TF
Specifiche tecniche onsemi - FQD7P20TF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FQD7P20TF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-252AA  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 690mOhm @ 2.85A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 55W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 770 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.7A (Tc)  
Numero di prodotto di base FQD7  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FQD7P20TF

Proprietà del prodotto FQD7P20TF FQD8N25TF FQD7P06TM FQD7P20TM
Modello di prodotti FQD7P20TF FQD8N25TF FQD7P06TM FQD7P20TM
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 770 pF @ 25 V 530 pF @ 25 V 295 pF @ 25 V 770 pF @ 25 V
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 8.2 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±25V ±30V
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 55W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numero di prodotto di base FQD7 - FQD7P06 FQD7P20
Rds On (max) a Id, Vgs 690mOhm @ 2.85A, 10V 550mOhm @ 3.1A, 10V 451mOhm @ 2.7A, 10V 690mOhm @ 2.85A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Tipo FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Contenitore dispositivo fornitore TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252AA TO-252AA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 250 V 60 V 200 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.7A (Tc) 6.2A (Tc) 5.4A (Tc) 5.7A (Tc)

FQD7P20TF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FQD7P20TF PDF e la documentazione onsemi per FQD7P20TF - onsemi.

Informazioni ambientali
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Europa Germania 5
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Asia India 4
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1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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