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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQD7N20TF
FQD7N20TF Image
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FQD7N20TF - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FQD7N20TF
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FQD7N20TF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
FQD7N20, FQU7N20.pdf
In magazzino: 5450

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FQD7N20TF
Specifiche tecniche onsemi - FQD7N20TF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FQD7N20TF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-252AA  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 690mOhm @ 2.65A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 45W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.3A (Tc)  
Numero di prodotto di base FQD7  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FQD7N20TF

Proprietà del prodotto FQD7N20TF FQD7N20LTF FQD7N30TM FQD7N20LTM
Modello di prodotti FQD7N20TF FQD7N20LTF FQD7N30TM FQD7N20LTM
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V 9 nC @ 5 V 17 nC @ 10 V 9 nC @ 5 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 200 V 300 V 200 V
Rds On (max) a Id, Vgs 690mOhm @ 2.65A, 10V 750mOhm @ 2.75A, 10V 700mOhm @ 2.75A, 10V 750mOhm @ 2.75A, 10V
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 5V, 10V 10V 5V, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numero di prodotto di base FQD7 FQD7 FQD7N30 FQD7N20
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) ±30V ±20V ±30V ±20V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 2V @ 250µA 5V @ 250µA 2V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V 500 pF @ 25 V 610 pF @ 25 V 500 pF @ 25 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.3A (Tc) 5.5A (Tc) 5.5A (Tc) 5.5A (Tc)

FQD7N20TF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FQD7N20TF PDF e la documentazione onsemi per FQD7N20TF - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
FQD7N20, FQU7N20.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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