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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQD5N50CTM
FQD5N50CTM Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FQD5N50CTM - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FQD5N50CTM
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FQD5N50CTM
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
FQ(D,U)5N50C.pdf
In magazzino: 4070

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FQD5N50CTM
Specifiche tecniche onsemi - FQD5N50CTM, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FQD5N50CTM

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-252AA  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.4Ohm @ 2A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 48W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 625 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Tc)  
Numero di prodotto di base FQD5  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FQD5N50CTM

Proprietà del prodotto FQD5N50CTM FQD5N60CTF FQD5N50CTM FQD5N50CTF
Modello di prodotti FQD5N50CTM FQD5N60CTF FQD5N50CTM FQD5N50CTF
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 625 pF @ 25 V 670 pF @ 25 V 625 pF @ 25 V 625 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Numero di prodotto di base FQD5 FQD5 - FQD5
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Tc) 2.8A (Tc) 4A (Tc) 4A (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-252AA TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252AA
Rds On (max) a Id, Vgs 1.4Ohm @ 2A, 10V 2.5Ohm @ 1.4A, 10V 1.4Ohm @ 2A, 10V 1.4Ohm @ 2A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 500 V 600 V 500 V 500 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 48W (Tc) 2.5W (Ta), 49W (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc) 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA

FQD5N50CTM Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FQD5N50CTM PDF e la documentazione onsemi per FQD5N50CTM - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
FQ(D,U)5N50C.pdf
PCN Design/Specifica
Passivation Material 14/May/2008.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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