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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQD2N90TF
FQD2N90TF Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FQD2N90TF - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FQD2N90TF
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FQD2N90TF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
FQD2N90TF.pdf
In magazzino: 4820

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FQD2N90TF
Specifiche tecniche onsemi - FQD2N90TF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FQD2N90TF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-252AA  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 7.2Ohm @ 850mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 500 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 900 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.7A (Tc)  
Numero di prodotto di base FQD2  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FQD2N90TF

Proprietà del prodotto FQD2N90TF FQD2N80TM FQD2P40TF FQD2P40TF
Modello di prodotti FQD2N90TF FQD2N80TM FQD2P40TF FQD2P40TF
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 500 pF @ 25 V 550 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V 350 pF @ 25 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-252AA TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252AA
Rds On (max) a Id, Vgs 7.2Ohm @ 850mA, 10V 6.3Ohm @ 900mA, 10V 6.5Ohm @ 780mA, 10V 6.5Ohm @ 780mA, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Numero di prodotto di base FQD2 FQD2N80 - FQD2
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 900 V 800 V 400 V 400 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.7A (Tc) 1.8A (Tc) 1.56A (Tc) 1.56A (Tc)

FQD2N90TF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FQD2N90TF PDF e la documentazione onsemi per FQD2N90TF - onsemi.

Informazioni ambientali
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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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