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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQD2N60CTF
FQD2N60CTF Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FQD2N60CTF - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FQD2N60CTF
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FQD2N60CTF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
FQD2N60CTF.pdf
In magazzino: 4900

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FQD2N60CTF
Specifiche tecniche onsemi - FQD2N60CTF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FQD2N60CTF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-252AA  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 4.7Ohm @ 950mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 44W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 235 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.9A (Tc)  
Numero di prodotto di base FQD2  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FQD2N60CTF

Proprietà del prodotto FQD2N60CTF FQD2N60CTM FQD2N60CTF FQD2N50TF
Modello di prodotti FQD2N60CTF FQD2N60CTM FQD2N60CTF FQD2N50TF
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V 8 nC @ 10 V
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Contenitore dispositivo fornitore TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252, (D-Pak) TO-252, (D-Pak)
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 600 V 600 V 500 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.9A (Tc) 1.9A (Tc) 1.9A (Tc) 1.6A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 235 pF @ 25 V 235 pF @ 25 V 235 pF @ 25 V 230 pF @ 25 V
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 44W (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 4.7Ohm @ 950mA, 10V 4.7Ohm @ 950mA, 10V 4.7Ohm @ 950mA, 10V 5.3Ohm @ 800mA, 10V
Numero di prodotto di base FQD2 - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk

FQD2N60CTF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FQD2N60CTF PDF e la documentazione onsemi per FQD2N60CTF - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Passivation Material 14/May/2008.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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