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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQD20N06LTM
FQD20N06LTM Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FQD20N06LTM - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FQD20N06LTM
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FQD20N06LTM
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
FQD20N06LTM.pdf
In magazzino: 3990

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FQD20N06LTM
Specifiche tecniche onsemi - FQD20N06LTM, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FQD20N06LTM

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-252AA  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 60mOhm @ 8.6A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 38W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 630 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17.2A (Tc)  
Numero di prodotto di base FQD2  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FQD20N06LTM

Proprietà del prodotto FQD20N06LTM FQD20N06LTF FQD20N06TM FQD20N06TM
Modello di prodotti FQD20N06LTM FQD20N06LTF FQD20N06TM FQD20N06TM
fabbricante onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 17.2A (Tc) 17.2A (Tc) 16.8A (Tc) 16.8A (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 5 V 13 nC @ 5 V 15 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base FQD2 FQD2 FQD20N06 -
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 38W (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252, (D-Pak)
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±25V ±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 630 pF @ 25 V 630 pF @ 25 V 590 pF @ 25 V 590 pF @ 25 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 5V, 10V 10V 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 60mOhm @ 8.6A, 10V 60mOhm @ 8.6A, 10V 63mOhm @ 8.4A, 10V 63mOhm @ 8.4A, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

FQD20N06LTM Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FQD20N06LTM PDF e la documentazione onsemi per FQD20N06LTM - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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