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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQB9N08LTM
FQB9N08LTM Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FQB9N08LTM - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FQB9N08LTM
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FQB9N08LTM
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
FQB9N08L, FQI9N08L.pdf
In magazzino: 4880

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FQB9N08LTM
Specifiche tecniche onsemi - FQB9N08LTM, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FQB9N08LTM

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263)  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 210mOhm @ 4.65A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.75W (Ta), 40W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 80 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9.3A (Tc)  
Numero di prodotto di base FQB9  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FQB9N08LTM

Proprietà del prodotto FQB9N08LTM FQB9N25CTM FQB8N90CTM FQB9N50CTM
Modello di prodotti FQB9N08LTM FQB9N25CTM FQB8N90CTM FQB9N50CTM
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±30V
Tensione drain-source (Vdss) 80 V 250 V 900 V 500 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Vgs (th) (max) a Id 2V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 25 V 710 pF @ 25 V 2080 pF @ 25 V 1030 pF @ 25 V
Numero di prodotto di base FQB9 FQB9 FQB8N90 FQB9N50
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dissipazione di potenza (max) 3.75W (Ta), 40W (Tc) 3.13W (Ta), 74W (Tc) 171W (Tc) 135W (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 210mOhm @ 4.65A, 10V 430mOhm @ 4.4A, 10V 1.9Ohm @ 3.15A, 10V 800mOhm @ 4.5A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 10V 10V 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9.3A (Tc) 8.8A (Tc) 6.3A (Tc) 9A (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.1 nC @ 5 V 35 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

FQB9N08LTM Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FQB9N08LTM PDF e la documentazione onsemi per FQB9N08LTM - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
FQB9N08L, FQI9N08L.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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