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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQB6N70TM
FQB6N70TM Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FQB6N70TM - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FQB6N70TM
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FQB6N70TM
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 700V 6.2A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
FQB6N70, FQI6N70.pdf
In magazzino: 4850

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FQB6N70TM
Specifiche tecniche onsemi - FQB6N70TM, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FQB6N70TM

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263)  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.5Ohm @ 3.1A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.13W (Ta), 142W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 700 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.2A (Tc)  
Numero di prodotto di base FQB6  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FQB6N70TM

Proprietà del prodotto FQB6N70TM FQB6N50TM FQB6N90TM_AM002 FQB6N70TM
Modello di prodotti FQB6N70TM FQB6N50TM FQB6N90TM_AM002 FQB6N70TM
fabbricante onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Dissipazione di potenza (max) 3.13W (Ta), 142W (Tc) 3.13W (Ta), 130W (Tc) 3.13W (Ta), 167W (Tc) 3.13W (Ta), 142W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Numero di prodotto di base FQB6 FQB6 FQB6 -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.2A (Tc) 5.5A (Tc) 5.8A (Tc) 6.2A (Tc)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs 1.5Ohm @ 3.1A, 10V 1.3Ohm @ 2.8A, 10V 1.9Ohm @ 2.9A, 10V 1.5Ohm @ 3.1A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 40 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V 790 pF @ 25 V 1880 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V
Tensione drain-source (Vdss) 700 V 500 V 900 V 700 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

FQB6N70TM Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FQB6N70TM PDF e la documentazione onsemi per FQB6N70TM - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
FQB6N70, FQI6N70.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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