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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQB3N80TM
FQB3N80TM Image
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FQB3N80TM - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FQB3N80TM
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FQB3N80TM
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 800V 3A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
FQB3N80TM.pdf
In magazzino: 3810

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FQB3N80TM
Specifiche tecniche onsemi - FQB3N80TM, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FQB3N80TM

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263)  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 5Ohm @ 1.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) -  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 690 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 800 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Tc)  
Numero di prodotto di base FQB3  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FQB3N80TM

Proprietà del prodotto FQB3N80TM FQB34N20TM FQB3P20TM FQB34N20LTM
Modello di prodotti FQB3N80TM FQB34N20TM FQB3P20TM FQB34N20LTM
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 800 V 200 V 200 V 200 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 690 pF @ 25 V 3100 pF @ 25 V 250 pF @ 25 V 3900 pF @ 25 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 2V @ 250µA
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Rds On (max) a Id, Vgs 5Ohm @ 1.5A, 10V 75mOhm @ 15.5A, 10V 2.7Ohm @ 1.4A, 10V 75mOhm @ 15.5A, 10V
Numero di prodotto di base FQB3 - - -
Dissipazione di potenza (max) - 3.13W (Ta), 180W (Tc) 3.13W (Ta), 52W (Tc) 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Tc) 31A (Tc) 2.8A (Tc) 31A (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V 8 nC @ 10 V 72 nC @ 5 V
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263)

FQB3N80TM Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FQB3N80TM PDF e la documentazione onsemi per FQB3N80TM - onsemi.

Informazioni ambientali
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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
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Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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