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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQB16N25TM
FQB16N25TM Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FQB16N25TM - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FQB16N25TM
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FQB16N25TM
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 250V 16A D2PAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
FQB16N25, FQI16N25.pdf
In magazzino: 5100

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FQB16N25TM
Specifiche tecniche onsemi - FQB16N25TM, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FQB16N25TM

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263)  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 230mOhm @ 8A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.13W (Ta), 142W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 250 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 16A (Tc)  
Numero di prodotto di base FQB1  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FQB16N25TM

Proprietà del prodotto FQB16N25TM FQB17P06TM FQB14N30TM FQB17P10TM
Modello di prodotti FQB16N25TM FQB17P06TM FQB14N30TM FQB17P10TM
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 230mOhm @ 8A, 10V 120mOhm @ 8.5A, 10V 290mOhm @ 7.2A, 10V 190mOhm @ 8.25A, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V 27 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V ±25V ±30V ±30V
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 16A (Tc) 17A (Tc) 14.4A (Tc) 16.5A (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dissipazione di potenza (max) 3.13W (Ta), 142W (Tc) 3.75W (Ta), 79W (Tc) 3.13W (Ta), 147W (Tc) 3.75W (Ta), 100W (Tc)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V 900 pF @ 25 V 1360 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V
Tensione drain-source (Vdss) 250 V 60 V 300 V 100 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Numero di prodotto di base FQB1 FQB1 - FQB1

FQB16N25TM Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FQB16N25TM PDF e la documentazione onsemi per FQB16N25TM - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
FQB16N25, FQI16N25.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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