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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQA44N30
FQA44N30 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FQA44N30 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FQA44N30
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FQA44N30
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 300V 43.5A TO3PN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-3P-3, SC-65-3
Scheda dati
FQA44N30.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4180

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FQA44N30
Specifiche tecniche onsemi - FQA44N30, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FQA44N30

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-3PN  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 69mOhm @ 21.75A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 310W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5600 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 300 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 43.5A (Tc)  
Numero di prodotto di base FQA44  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FQA44N30

Proprietà del prodotto FQA44N30 FQA47P06 FQA55N25 FQA44N10
Modello di prodotti FQA44N30 FQA47P06 FQA55N25 FQA44N10
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®
Numero di prodotto di base FQA44 FQA4 FQA55 FQA4
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5600 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V 6250 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 43.5A (Tc) 55A (Tc) 55A (Tc) 48A (Tc)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 62 nC @ 10 V
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 300 V 60 V 250 V 100 V
Rds On (max) a Id, Vgs 69mOhm @ 21.75A, 10V 26mOhm @ 27.5A, 10V 40mOhm @ 27.5A, 10V 39mOhm @ 24A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 310W (Tc) 214W (Tc) 310W (Tc) 180W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±25V ±30V ±25V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-3PN TO-3P TO-3PN TO-3P
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Caratteristica FET - - - -

FQA44N30 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FQA44N30 PDF e la documentazione onsemi per FQA44N30 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 23/Dec/2021.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly Site Transfer 06/Apr/2015.pdf
Schede tecniche
FQA44N30.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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