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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFQA140N10
FQA140N10 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FQA140N10 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FQA140N10
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FQA140N10
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 140A TO3PN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-3P-3, SC-65-3
Scheda dati
FQA140N10.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 8847

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FQA140N10
Specifiche tecniche onsemi - FQA140N10, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FQA140N10

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-3PN  
Serie QFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 10mOhm @ 70A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 375W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7900 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 285 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 140A (Tc)  
Numero di prodotto di base FQA140  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FQA140N10

Proprietà del prodotto FQA140N10 FQA170N06 FQA160N08 FQA13N50C
Modello di prodotti FQA140N10 FQA170N06 FQA160N08 FQA13N50C
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Dissipazione di potenza (max) 375W (Tc) 375W (Tc) 375W (Tc) 218W (Tc)
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±30V
Rds On (max) a Id, Vgs 10mOhm @ 70A, 10V 5.6mOhm @ 85A, 10V 7mOhm @ 80A, 10V 480mOhm @ 6.75A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Pacchetto Tube Tube Bulk Tube
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 140A (Tc) 170A (Tc) 160A (Tc) 13.5A (Tc)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Numero di prodotto di base FQA140 FQA170 - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7900 pF @ 25 V 9350 pF @ 25 V 7900 pF @ 25 V 2055 pF @ 25 V
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Contenitore dispositivo fornitore TO-3PN TO-3PN TO-3PN TO-3P
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 285 nC @ 10 V 290 nC @ 10 V 290 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 60 V 80 V 500 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie QFET® QFET® QFET® QFET®

FQA140N10 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FQA140N10 PDF e la documentazione onsemi per FQA140N10 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly/Test Site 14/Dec/2022.pdf
Schede tecniche
FQA140N10.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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