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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistori-IGBTs-moduliFMG2G75US60
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FMG2G75US60 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FMG2G75US60
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FMG2G75US60
Modello ECAD
Descrizione delle parti
IGBT MODULE 600V 75A 310W 7PMGA
Descrizione dettagliata
Pacchetto
7PM-GA
Scheda dati
FMG2G75US60.pdf
In magazzino: 5290

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Specifiche

Specifiche tecnologiche FMG2G75US60
Specifiche tecniche onsemi - FMG2G75US60, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FMG2G75US60

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 600 V  
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.8V @ 15V, 75A  
Contenitore dispositivo fornitore 7PM-GA  
Serie -  
Potenza - Max 310 W  
Contenitore / involucro 7PM-GA  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Termistore NTC No  
Tipo montaggio Chassis Mount  
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 7.056 nF @ 30 V  
Ingresso Standard  
Tipo IGBT -  
Corrente - Cutoff collettore (max) 250 µA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 75 A  
Configurazione Half Bridge  
Numero di prodotto di base FMG2  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FMG2G75US60

Proprietà del prodotto FMG2G75US60 FMG2G50US120 FMG2G50US60 FMG2G75US120
Modello di prodotti FMG2G75US60 FMG2G50US120 FMG2G50US60 FMG2G75US120
fabbricante onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Vce (on) (max) a VGE, Ic 2.8V @ 15V, 75A 3V @ 15V, 50A 2.8V @ 15V, 50A 3V @ 15V, 75A
Contenitore dispositivo fornitore 7PM-GA 7PM-GA 7PM-GA 7PM-GA
Contenitore / involucro 7PM-GA 7PM-GA 7PM-GA 7PM-GA
Corrente - Cutoff collettore (max) 250 µA 3 mA 250 µA 3 mA
Pacchetto Bulk - Bulk Bulk
Corrente - collettore (Ic) (max) 75 A 50 A 50 A 75 A
Ingresso Standard Standard Standard Standard
Tipo IGBT - - - -
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 7.056 nF @ 30 V - 3.46 nF @ 30 V -
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 600 V 1200 V 600 V 1200 V
Serie - - - -
Potenza - Max 310 W 320 W 250 W 445 W
Configurazione Half Bridge Half Bridge Half Bridge Half Bridge
Termistore NTC No No No No
Tipo montaggio Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Numero di prodotto di base FMG2 FMG2 FMG2 FMG2

FMG2G75US60 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FMG2G75US60 PDF e la documentazione onsemi per FMG2G75US60 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
FMG2G75US60.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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