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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singoloFJYF2906TF
FJYF2906TF Image
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FJYF2906TF - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FJYF2906TF
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FJYF2906TF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS PNP 40V 0.15A SOT563F
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-563, SOT-666
Scheda dati
FJYF2906.pdf
In magazzino: 4350

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FJYF2906TF
Specifiche tecniche onsemi - FJYF2906TF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FJYF2906TF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 40 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA  
Tipo transistor PNP  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-563F  
Serie -  
Potenza - Max 150 mW  
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione 250MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V  
Corrente - Cutoff collettore (max) -  
Corrente - collettore (Ic) (max) 150 mA  
Numero di prodotto di base FJYF29  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FJYF2906TF

Proprietà del prodotto FJYF2906TF FJY4006R FJY4007R FJY4012R
Modello di prodotti FJYF2906TF FJY4006R FJY4007R FJY4012R
fabbricante onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Contenitore dispositivo fornitore SOT-563F - SC-89-3 SOT-523F
Corrente - collettore (Ic) (max) 150 mA - 100 mA 100 mA
Corrente - Cutoff collettore (max) - - 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - - -
Potenza - Max 150 mW - 200 mW 200 mW
Frequenza - transizione 250MHz - 200 MHz 200 MHz
Numero di prodotto di base FJYF29 - FJY400 FJY401
Contenitore / involucro SOT-563, SOT-666 - SC-89, SOT-490 SC-89, SOT-490
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA - 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 1mA, 10mA
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V - 68 @ 5mA, 5V 100 @ 1mA, 5V
Tipo transistor PNP - PNP - Pre-Biased PNP - Pre-Biased
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 40 V - 50 V 40 V
Serie - * - -
Tipo montaggio Surface Mount - Surface Mount Surface Mount

FJYF2906TF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FJYF2906TF PDF e la documentazione onsemi per FJYF2906TF - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Mold Compound 20/Aug/2008.pdf
Schede tecniche
FJYF2906.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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