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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor - Bipolare (BJT) - singolo, pre -poialatoFJV3115RMTF
FJV3115RMTF Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FJV3115RMTF - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FJV3115RMTF
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FJV3115RMTF
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
FJV3115R.pdf
In magazzino: 3940

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FJV3115RMTF
Specifiche tecniche onsemi - FJV3115RMTF, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FJV3115RMTF

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA  
Tipo transistor NPN - Pre-Biased  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3  
Serie -  
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms  
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms  
Potenza - Max 200 mW  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione 250 MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 33 @ 10mA, 5V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO)  
Corrente - collettore (Ic) (max) 100 mA  
Numero di prodotto di base FJV311  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FJV3115RMTF

Proprietà del prodotto FJV3115RMTF FJV4101RMTF FJV3114RMTF FJV4103RMTF
Modello di prodotti FJV3115RMTF FJV4101RMTF FJV3114RMTF FJV4103RMTF
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms 4.7 kOhms 4.7 kOhms 22 kOhms
Numero di prodotto di base FJV311 FJV410 FJV311 FJV410
Serie - - - -
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA 300mV @ 500µA, 10mA
Corrente - collettore (Ic) (max) 100 mA 100 mA 100 mA 100 mA
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50 V 50 V 50 V 50 V
Frequenza - transizione 250 MHz 200 MHz 250 MHz 200 MHz
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Tipo transistor NPN - Pre-Biased PNP - Pre-Biased NPN - Pre-Biased PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms 4.7 kOhms 47 kOhms 22 kOhms
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 33 @ 10mA, 5V 20 @ 10mA, 5V 68 @ 5mA, 5V 56 @ 5mA, 5V
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Potenza - Max 200 mW 200 mW 200 mW 200 mW

FJV3115RMTF Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FJV3115RMTF PDF e la documentazione onsemi per FJV3115RMTF - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf Mold Compound 12/Dec/2007.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 22/Dec/2017.pdf
Assemblaggio/origine PCN
SOT23 Manufacturing Source 31/May2013.pdf
Schede tecniche
FJV3115R.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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